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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOIC-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.71 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 104 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 20 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 长度： | 4.85 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX1 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.8 V | 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 串行总线类型： | SPI | 最大待机电流： | 0.0000075 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.008 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 3.9 mm |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| W25Q40EWSNIGTR | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
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| W25Q40EWSVIG | WINBOND |
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Flash, 4MX1, PDSO8, VSOP-8 |
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| W25Q40EWSVIGTR | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
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| W25Q40EWUXIE | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
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| W25Q40EWUXIETR | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
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| W25Q40EWUXIG | WINBOND |
获取价格 |
Flash Memory, |
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| W25Q40EWZPIG | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
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| W25Q40EWZPIGTR | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
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| W25Q64BV | WINBOND |
获取价格 |
64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q64BVDAIG | WINBOND |
获取价格 |
64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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