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W25Q64BVDAIP

更新时间: 2024-09-21 08:08:59
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华邦 - WINBOND 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
页数 文件大小 规格书
61页 1652K
描述
64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI

W25Q64BVDAIP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP,
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.72Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):80 MHzJESD-30 代码:R-PDIP-T8
长度:9.27 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.33 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED类型:NOR TYPE
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

W25Q64BVDAIP 数据手册

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W25Q64BV  
64M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL AND QUAD SPI  
Publication Release Date: July 08, 2010  
Revision E  
- 1 -  

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