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W25Q40BWUXIE

更新时间: 2024-09-20 19:37:03
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
73页 2534K
描述
Flash, 4MX1, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.60 MM HEIGHT, GREEN, USON-8

W25Q40BWUXIE 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:2 X 3 MM, 0.60 MM HEIGHT, GREEN, USON-8Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.72最大时钟频率 (fCLK):80 MHz
数据保留时间-最小值:20耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-N8长度:3 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:8字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4MX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:HVSON封装等效代码:SOLCC8,.11,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:0.6 mm
串行总线类型:SPI最大待机电流:0.00001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V最小供电电压 (Vsup):1.65 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE宽度:2 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

W25Q40BWUXIE 数据手册

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W25Q40BW  
1.8V 4M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL AND QUAD SPI  
Publication Release Date: October 11, 2013  
Revision F  
- 1 -  

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