是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOIC-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 1.7 | Samacsys Description: | NOR Flash spiFlash, 4M-bit, 4Kb Uniform Sector |
最大时钟频率 (fCLK): | 104 MHz | 数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4MX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.016 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 3.9 mm | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W25Q40CLSSIG | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 4MX1, PDSO8, SOIC-8 | |
W25Q40CLUXIG | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 4MX1, PDSO8, USON-8 | |
W25Q40EW | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q40EWBYIGTR | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q40EWSNIG | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 4MX1, PDSO8, SOIC-8 | |
W25Q40EWSNIGTR | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q40EWSVIG | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 4MX1, PDSO8, VSOP-8 | |
W25Q40EWSVIGTR | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q40EWUXIE | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q40EWUXIETR | WINBOND |
获取价格 |
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |