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VS-MBRB745TRLPBF

更新时间： 2024-11-13 13:15:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 146K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 45V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3

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VS-MBRB745TRLPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.44
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.57 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：690 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：7.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

VS-MBRB745TRLPBF 数据手册

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VS-MBRB735PbF, VS-MBRB745PbF  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 7.5 A  
FEATURES  
• 150 °C TJ operation  
• High frequency operation  
• Low forward voltage drop  
Base  
cathode  
2
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
3
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
1
D2PAK  
N/C  
Anode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• AEC-Q101 qualified  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
7.5 A  
DESCRIPTION  
VR  
35 V/45 V  
The VS-MBRB7... Schottky rectifier series has been  
optimized for low reverse leakage at high temperature. The  
proprietary barrier technology allows for reliable operation  
up to 150 °C junction temperature. Typical applications are  
in switching power supplies, converters, freewheeling  
diodes, and reverse battery protection.  
IRM  
15 mA at 125 °C  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
7.5  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
35/45  
tp = 5 μs sine  
7.5 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
690  
A
VF  
0.57  
V
TJ  
- 65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-MBRB735PbF  
VS-MBRB745PbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 131 °C, rated VR  
7.5  
Following any rated load condition  
and with rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
690  
A
Non-repetitive peak surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load condition halfwave single phase 60 Hz  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 3.5 mH  
150  
7
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2
Document Number: 94312  
Revision: 16-Mar-10  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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