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VS-MBRB1045PBF

更新时间： 2024-01-21 11:04:46

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威世 - VISHAY		高功率电源二极管
页数	文件大小	规格书
7页	141K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, D2PAK-3

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VS-MBRB1045PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-263
包装说明：	R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.41
其他特性：	FREEWHEELING DIODE	应用：	HIGH POWER
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.57 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1060 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	45 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

VS-MBRB1045PBF 数据手册

VS-MBRB1035PbF, VS-MBRB1045PbF

Schottky Rectifier, 10 A

Vishay High Power Products

100

T_J= 150 °C

T_J= 125 °C

T_J= 100 °C

T_J= 150 °C

T_J= 125 °C

T_J= 25 °C

0.1

0.01

T_J= 75 °C

T_J= 50 °C

T_J= 25 °C

0.001

0.0001

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

10 15 20 25 30 35

V_R- Reverse Voltage (V)

V_FM- Forward Voltage Drop (V)

Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics

Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.

Reverse Voltage

1000

T_J= 25 °C

100

V_R- Reverse Voltage (V)

Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage

P_DM

t₁

D = 0.75

D = 0.50

D = 0.33

D = 0.25

D = 0.20

t₂

0.1

0.01

Notes:

Single pulse

(thermal resistance)

1. Duty factor D = t₁/t₂

2. Peak T_J= P_DMx Z_thJC+ T_C

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

t₁- Rectangular Pulse Duration (s)

Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics

Document Number: 94302

Revision: 15-Mar-10

For technical questions, contact: diodestech@vishay.com

www.vishay.com

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