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VS-MBRB1045PBF

更新时间: 2024-01-25 03:10:41
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 141K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, D2PAK-3

VS-MBRB1045PBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-263
包装说明:R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.41
其他特性:FREEWHEELING DIODE应用:HIGH POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.57 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:1060 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:45 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

VS-MBRB1045PBF 数据手册

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VS-MBRB1035PbF, VS-MBRB1045PbF  
Schottky Rectifier, 10 A  
Vishay High Power Products  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
0.84  
0.57  
0.72  
0.1  
UNITS  
20 A  
TJ = 25 °C  
(1)  
Maximum forward voltage drop  
VFM  
10 A  
V
TJ = 125 °C  
20 A  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
Maximum instantaneous reverse  
current  
(1)  
IRM  
Rated DC voltage  
mA  
15  
Threshold voltage  
VF(TO)  
rt  
0.354  
17.6  
600  
V
TJ = TJ maximum  
Forward slope resistance  
Maximum junction capacitance  
Typical series inductance  
Maximum voltage rate of change  
mΩ  
pF  
CT  
VR = 5 VDC (test signal range 100 kHz to 1 MHz), 25 °C  
Measured from top of terminal to mounting plane  
Rated VR  
LS  
8.0  
nH  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
Note  
(1)  
Pulse width < 300 μs, duty cycle < 2 %  
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
- 65 to 150  
- 65 to 175  
UNITS  
Maximum junction temperature range  
Maximum storage temperature range  
TJ  
°C  
TStg  
Maximum thermal resistance,  
junction to case  
RthJC  
RthCS  
DC operation  
2.0  
°C/W  
Typical thermal resistance,  
case to heatsink  
Mounting surface, smooth and greased  
(Only for TO-220)  
0.50  
2
g
Approximate weight  
0.07  
oz.  
minimum  
Mounting torque  
6 (5)  
kgf · cm  
(lbf · in)  
maximum  
12 (10)  
MBRB1035  
Marking device  
Case style D2PAK  
MBRB1045  
www.vishay.com  
2
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
Document Number: 94302  
Revision: 15-Mar-10  

VS-MBRB1045PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-10TQ045SPBF VISHAY

类似代替

Schottky Rectifier, 10 A
VS-MBRB1545CTPBF VISHAY

类似代替

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 45V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRB1045TRLHM3 VISHAY

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High Performance Schottky Rectifier, 10 A
VS-MBRB1045TRRHM3 VISHAY

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High Performance Schottky Rectifier, 10 A
VS-MBRB1045TRRPBF VISHAY

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-MBRB1535CTL-M3 VISHAY

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Low forward voltage drop
VS-MBRB1535CT-M3 VISHAY

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Low forward voltage drop
VS-MBRB1535CTPBF VISHAY

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 35V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3
VS-MBRB1535CTR-M3 VISHAY

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Low forward voltage drop
VS-MBRB1535CTTRLP VISHAY

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 35V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-MBRB1545CTL-M3 VISHAY

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VS-MBRB1545CT-M3 VISHAY

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Low forward voltage drop