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VS-MBR20100CT-1HM3

更新时间： 2024-01-21 18:20:31

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
10页	239K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA,

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VS-MBR20100CT-1HM3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.95 V
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	850 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	100 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VS-MBR20100CT-1HM3 数据手册

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VS-MBRB20...CTHM3, VS-MBR20...CT-1HM3

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

150

140

130

120

110

100

D = 0.20

D = 0.25

D = 0.33

D = 0.50

D = 0.75

RMS limit

Square wave (D = 0.50)

Rated V_Rapplied

See note (1)

14 16

I_F(AV)- Average Forward Current (A)

Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.

Average Forward Current (Per Leg)

Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics (Per Leg)

1000

At any rated load condition

and with rated V_RRMapplied

following surge

100

1000

10 000

t_p- Square Wave Pulse Duration (µs)

Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current (Per Leg)

Note

(1)

Formula used: T_C= T_J- (Pd + Pd_REV) x R_thJC;

Pd = Forward power loss = I_F(AV)x V_FMat (I_F(AV)/D) (see fig. 6); 

Pd_REV= Inverse power loss = V_R1x I_R(1 - D); I_Rat V_R1= Rated V_R

Revision: 03-Mar-15

Document Number: 95859

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