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VS-60EPS08-M3

更新时间： 2024-11-30 15:57:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网高压二极管
页数 文件大小 规格书
7页 159K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VS-60EPS08-M3 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.14应用：HIGH VOLTAGE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.09 VJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：1000 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：60 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

VS-60EPS08-M3 数据手册

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VS-60EPS..PbF Series, VS-60EPS..-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Voltage Input Rectifier Diode, 60 A  
FEATURES  
• Very low forward voltage drop  
Base  
cathode  
• 150 °C max. operating junction temperature  
• Glass passivated pellet chip junction  
2
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
2
3
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
1
Available  
1
3
Cathode  
Anode  
TO-247AC modified  
www.vishay.com/doc?99912  
APPLICATIONS  
• Input rectification  
PRODUCT SUMMARY  
• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers  
which are available in identical package outlines  
Package  
TO-247AC modified (2 pins)  
IF(AV)  
60 A  
800 V to 1200 V  
1.09 V  
VR  
DESCRIPTION  
VF at IF  
IFSM  
High voltage rectifiers optimized for very low forward  
voltage drop with moderate leakage.  
1000 A  
These devices are intended for use in main rectification  
(single or three phase bridge).  
TJ max.  
Diode variation  
150 °C  
Single die  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
60  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
800/1200  
1000  
A
VF  
60 A, TJ = 25 °C  
1.09  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRSM, MAXIMUM  
VRRM, MAXIMUM  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
NON-REPETITIVEPEAKREVERSE  
PART NUMBER  
VOLTAGE  
V
VS-60EPS08PbF, VS-60EPS08-M3  
VS-60EPS12PbF, VS-60EPS12-M3  
800  
900  
1
1200  
1300  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 118 °C, 180° conduction half sine wave  
60  
840  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
1000  
3530  
4220  
42 200  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
Revision: 12-Feb-16  
Document Number: 94345  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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