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VS-60EPU04PBF

更新时间： 2024-09-15 01:16:27
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威世 - VISHAY 超快软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 189K
描述
Low forward voltage drop

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VS-60EPU04PBF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.79
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.03 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：600 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：60 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向恢复时间：0.06 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

VS-60EPU04PBF 数据手册

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VS-60EPU04PbF, VS-60EPU04-N3, VS-60APU04PbF,  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 60 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Ultrafast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• 175 °C operating junction temperature  
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
TO-247AC  
TO-247AC modified  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
Cathode  
to base  
Cathode  
to base  
Available  
www.vishay.com/doc?99912  
2
2
BENEFITS  
• Reduced RFI and EMI  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
• Reduced parts count  
3
3
1
1
Anode  
Cathode  
Anode  
Anode  
VS-60EPU04PbF  
VS-60EPU04-N3  
VS-60APU04PbF  
VS-60APU04-N3  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
TO-247AC modified (2 pins),  
TO-247AC  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in  
high frequency power conditioning systems.  
Package  
IF(AV)  
VR  
60 A  
400 V  
The softness of the recovery eliminates the need for a  
snubber in most applications. These devices are ideally  
suited for HF welding, power converters and other  
applications where switching losses are not significant  
portion of the total losses.  
VF at IF  
0.87 V  
t
rr typ.  
See Recovery table  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
400  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
V
Continuous forward current  
IF(AV)  
TC = 127 °C  
60  
Single pulse forward current  
IFSM  
TC = 25 °C  
600  
A
Maximum repetitive forward current  
Operating junction and storage temperatures  
IFRM  
Square wave, 20 kHz  
120  
TJ, TStg  
-55 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 60 A  
400  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.05  
0.87  
0.93  
-
1.25  
1.03  
1.10  
50  
2
V
Forward voltage  
VF  
IF = 60 A, TJ = 175 °C  
IF = 60 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
μA  
mA  
pF  
Reverse leakage current  
IR  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 400 V  
-
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
50  
-
Measured lead to lead 5 mm from package body  
3.5  
-
nH  
Revision: 09-Jul-15  
Document Number: 94022  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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