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VS-50SQ080G-M3

更新时间： 2024-11-08 14:45:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
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7页 131K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VS-50SQ080G-M3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.77 V
JEDEC-95代码：DO-204ARJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：1900 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：80 V
最大反向电流：150 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

VS-50SQ080G-M3 数据手册

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VS-50SQ...G Series, VS-50SQ...G-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 5 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
Cathode  
Anode  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
DO-204AR  
• Guard ring for enhanced ruggedness and  
long term reliability  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified for commercial level  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
DO-204AR  
5 A  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
(-M3 only)  
IF(AV)  
VR  
60 V, 80 V, 100 V  
0.52 V  
VF at IF  
DESCRIPTION  
I
RM max.  
7.0 mA at 125 °C  
175 °C  
The VS-50SQ...G... axial leaded Schottky rectifier series has  
been optimized for low reverse leakage at high temperature.  
The proprietary barrier technology allows for reliable  
operation up to 175 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
7.5 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
5
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
Range  
60 to 100  
1900  
tp = 5 μs sine  
5 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
A
VF  
0.52  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
VS-50SQ060G  
VS-50SQ060G-M3  
VS-50SQ080G  
VS-50SQ080G-M3  
VS-50SQ100G  
VS-50SQ100G-M3  
SYMBOL  
VR  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
60  
80  
100  
V
Maximum working peak  
reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 119 °C, rectangular waveform  
5
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
1900  
Followinganyratedload  
condition and with rated  
VRRM applied  
IFSM  
290  
7.5  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 1.0 A, 46 μs square pulse  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by, TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.0  
Revision: 19-Sep-11  
Document Number: 93356  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-50SQ080GTR VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-50SQ080-M3 VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 5 A
VS-50SQ080TR VISHAY

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 		暂无描述
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