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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VS-50SQ100
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VS-50SQ100

更新时间： 2024-11-09 12:17:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 130K
描述
Schottky Rectifier, 5 A

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VS-50SQ100 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.81
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：164977Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting
Samacsys Footprint Name：DO-204AL (DO-41)Samacsys Released Date：2016-03-31 06:13:15
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.52 V
JEDEC-95代码：DO-204ARJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：1900 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-50SQ100 数据手册

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VS-50SQ... Series, VS-50SQ...-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 5 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
Cathode  
Anode  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
DO-204AR  
• Guard ring for enhanced ruggedness and  
long term reliability  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified for commercial level  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
DO-204AR  
5 A  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
(-M3 only)  
IF(AV)  
VR  
60 V, 80 V, 100 V  
0.52 V  
VF at IF  
DESCRIPTION  
I
RM max.  
7.0 mA at 125 °C  
175 °C  
The VS-50SQ... axial leaded Schottky rectifier series has  
been optimized for low reverse leakage at high temperature.  
The proprietary barrier technology allows for reliable  
operation up to 175 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
7.5 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform  
Range  
VALUES  
5
UNITS  
A
V
60 to 100  
1900  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
5 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
0.52  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
VS-50SQ060  
VS-50SQ080  
VS-50SQ100  
SYMBOL  
UNITS  
VS-50SQ060-M3 VS-50SQ080-M3 VS-50SQ100-M3  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
60  
80  
100  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 119 °C, rectangular waveform  
5
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Followinganyratedload  
condition and with rated  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
1900  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
290  
7.5  
VRRM applied  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 1.0 A, L = 15 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by, TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.0  
Revision: 19-Sep-11  
Document Number: 93355  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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