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VS-20MQ100-M3/5AT

更新时间： 2024-11-14 21:14:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 135K
描述
DIODE 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO D-64, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

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VS-20MQ100-M3/5AT 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.56其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.63 VJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-20MQ100-M3/5AT 数据手册

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VS-20MQ100-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
High Performance Schottky Rectifier, 2 A  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
Cathode  
Anode  
• Small foot print, surface mountable  
• High frequency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
SMA (DO-214AC)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
DO-214AC (SMA)  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
2 A  
100 V  
The VS-20MQ100-M3 surface mount Schottky rectifier has  
been designed for applications requiring low forward drop  
and very small foot prints on PC boards. Typical  
applications are in disk drives, switching power supplies,  
converters, freewheeling diodes, battery charging, and  
reverse battery protection.  
VR  
VF at IF  
IRM  
0.72 V  
1 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
1.0 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
2
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
100  
tp = 5 μs sine  
2 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
120  
A
VF  
0.72  
V
TJ  
-55 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-20MQ100-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
100  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
50 % duty cycle at TL = 113 °C, rectangular waveform  
2.1  
2
On PC board 9 mm2 island (0.013 mm thick copper pad area)  
Maximum average forward current  
See fig. 4  
IF(AV)  
A
50 % duty cycle at TL = 116 °C, rectangular waveform  
On PC board 9 mm2 island (0.013 mm thick copper pad area)  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 6  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
120  
30  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 0.5 A, L = 8 mH  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
1.0  
0.5  
mJ  
A
Revision: 12-Oct-11  
Document Number: 93361  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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VS-20MQ100-M3/5AT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-20MQ100NPBF VISHAY

完全替代

 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2.1A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,

与VS-20MQ100-M3/5AT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-20MQ100NPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2.1A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,
VS-20MQ100NTRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2.1A, 100V V(RRM), Silicon, SMA, 2 PIN
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VS-20MT120UFAPBF VISHAY

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VS-20-RX-UK ETC

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VS-20TQ035-1PBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-20TQ035-M3 VISHAY

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 		Schottky Rectifier

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