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VS-20TQ040-N3

更新时间： 2024-11-14 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 166K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VS-20TQ040-N3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.73 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：1800 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：2700 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-20TQ040-N3 数据手册

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VS-20TQ0..PbF Series, VS-20TQ0..-N3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 20 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
2
• 150 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical strength  
and moisture resistance  
1
3
Cathode Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
TO-220AC  
Available  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-220AC  
20 A  
IF(AV)  
DESCRIPTION  
VR  
35 V, 40 V, 45 V  
0.51 V  
The VS-20TQ... Schottky rectifier series has been optimized  
for very low forward voltage drop, with moderate leakage.  
The proprietary barrier technology allows for reliable  
operation up to 150 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
VF at IF  
I
RM max.  
105 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
27 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
20  
UNITS  
Rectangular waveform  
Range  
A
V
35 to 45  
1800  
tp = 5 μs sine  
20 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
A
VF  
0.51  
V
TJ  
-55 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-  
VS-  
VS-  
VS-  
VS-  
VS-  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
20TQ035PbF 20TQ035-N3 20TQ040PbF 20TQ040-N3 20TQ045PbF 20TQ045-N3  
MaximumDCreverse  
voltage  
VR  
35  
35  
40  
40  
45  
45  
V
Maximum working  
peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 116 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
20  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
1800  
Following any rated load  
condition and with rated  
VRRM applied  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
400  
27  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 4 A, L = 3.4 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
4
Revision: 26-Aug-11  
Document Number: 94167  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-20TQ040PbF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 20 A
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VS-20TQ040S-M3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-20TQ040SPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 40V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
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