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VS-20L15TSPBF

更新时间： 2024-11-14 13:15:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
7页 159K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 15V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

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VS-20L15TSPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.25Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：405164
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Schottky Diode
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：VS-20L15TSPBF-1
Samacsys Released Date：2020-04-09 08:58:16Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.33 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：700 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：15 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-20L15TSPBF 数据手册

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VS-20L15TPbF, VS-20L15T-N3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 20 A  
FEATURES  
• 125 °C TJ operation (VR < 5 V)  
• Single diode configuration  
• Optimized for OR-ing applications  
• Ultra low forward voltage drop  
Base  
cathode  
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
1
3
TO-220AC  
Cathode Anode  
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical strength  
and moisture resistance  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PRODUCT SUMMARY  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
Package  
TO-220AC  
20 A  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
(-N3 only)  
IF(AV)  
VR  
15 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
See Electrical table  
600 mA at 100 °C  
125 °C  
The Schottky rectifier module has been optimized for  
ultra low forward voltage drop specifically for the  
OR-ing of parallel power supplies. The proprietary  
I
RM max.  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
barrier  
technology allows for reliable operation up to 125  
Single die  
°C junction temperature. Typical applications are in parallel  
switching power supplies, converters, reverse battery  
protection, and redundant power subsystems.  
10 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
20  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
15  
tp = 5 μs sine  
700  
A
VF  
19 Apk, TJ = 125 °C (typical)  
Range  
0.25  
V
TJ  
- 55 to 125  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-20L15TPbF  
VS-20L15T-N3  
15  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
15  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 85 °C, rectangular waveform  
20  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
700  
Following any rated load  
condition and with rated  
VRRM applied  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
330  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 6 mH  
10  
2
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Revision: 26-Aug-11  
Document Number: 94165  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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VS-20L15TSPBF 替代型号

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VS-20L15TS-M3 VISHAY

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