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VS-20L15TSTRR-M3 PDF预览

VS-20L15TSTRR-M3

更新时间： 2024-11-14 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 187K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-20L15TSTRR-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.52 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：330 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：15 V最大反向电流：10000 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-20L15TSTRR-M3 数据手册

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VS-20L15TS-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
High Performance Schottky Rectifier, 20 A  
FEATURES  
• 125 °C TJ operation (VR < 5 V)  
• Single diode configuration  
• Optimized for OR-ing applications  
• Ultralow forward voltage drop  
Base  
cathode  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
1
1
N/C  
3
3
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
Anode  
D2PAK (TO-263AB)  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 245 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
20 A  
15 V  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VR  
VF at IF  
0.33 V  
I
RM max.  
600 mA at 100 °C  
125 °C  
DESCRIPTION  
TJ max.  
EAS  
The Schottky rectifier module has been optimized for ultra  
low forward voltage drop specifically for the OR-ing of  
parallel power supplies. The proprietary barrier technology  
allows for reliable operation up to 125 °C junction  
temperature. Typical applications are in parallel switching  
power supplies, converters, reverse battery protection, and  
redundant power subsystems.  
10 mJ  
D2PAK (TO-263AB)  
Package  
Circuit configuration  
Single  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
20  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
15  
tp = 5 μs sine  
700  
A
VF  
19 Apk, TJ = 125 °C (typical)  
Range  
0.25  
V
TJ  
-55 to +125  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
TEST CONDITIONS  
TJ = 100 °C  
VS-20L15TS-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
15  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 85 °C, rectangular waveform  
VALUES UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
20  
A
Maximum peakone cycle non-repetitive  
surge current  
See fig. 7  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 6 mH  
Following any rated load  
condition and with rated  
RRM applied  
700  
330  
10  
IFSM  
V
Non-repetitive avalanche energy  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Repetitive avalanche current  
2
Revision: 27-Oct-17  
Document Number: 95734  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-20L15TSTRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 15V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
VS-20MQ040HM3 VISHAY

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VS-20MQ040-M3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 2 A
VS-20MQ040-M3/5AT VISHAY

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 		DIODE 2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMA,
VS-20MQ040NPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC, HALOGEN FREE
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 		DIODE 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO D-64, SM

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