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VS-10ETF06STRR-M3

更新时间： 2024-11-01 22:57:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 240K
描述
DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK

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VS-10ETF06STRR-M3 数据手册

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VS-10ETF02S-M3, VS-10ETF04S-M3, VS-10ETF06S-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Surface Mount Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A  
FEATURES  
Base  
• Glass passivated pellet chip junction  
cathode  
+
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 245 °C  
2
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
2
1
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
1
3
3
-
-
Anode  
Anode  
D2PAK (TO-263AB)  
APPLICATIONS  
• Output rectification and freewheeling in inverters,  
choppers and converters  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
10 A  
• Input rectifications where severe restrictions on  
conducted EMI should be met  
VR  
VF at IF  
200 V, 400 V, 600 V  
1.2 V  
140 A  
IFSM  
DESCRIPTION  
trr  
50 ns  
The VS-10ETF..S-M3 fast soft recovery rectifier series has  
been optimized for combined short reverse recovery time  
and low forward voltage drop.  
TJ max.  
150 °C  
Snap factor  
Package  
Circuit configuration  
0.6  
D2PAK (TO-263AB)  
The glass passivation ensures stable reliable operation in  
the most severe temperature and power cycling conditions.  
Single  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
trr  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
200 to 600  
10  
UNITS  
V
Sinusoidal waveform  
A
140  
1 A, 100 A/μs  
10 A, TJ = 25 °C  
Range  
50  
ns  
V
VF  
1.2  
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-10ETF02S-M3  
VS-10ETF04S-M3  
VS-10ETF06S-M3  
200  
400  
600  
300  
500  
700  
2.5  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TC = 128 °C, 180° conduction half sine wave  
VALUES  
10  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
115  
140  
66  
A
Maximum peak one cycle  
IFSM  
non-repetitive surge current  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
94  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
940  
A2s  
Revision: 04-Jan-18  
Document Number: 94884  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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与VS-10ETF06STRR-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-10ETF06STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
VS-10ETF06THM3 VISHAY

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 		Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETF0FPPBF VISHAY

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 		Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETF0PBF VISHAY

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 		Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETF10FP-M3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-10ETF10FP-M3, VS-10ETF12FP-M3 VISHAY

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 		Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETF10-M3 VISHAY

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