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VP0645N2

更新时间： 2024-11-06 20:05:23

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		输入元件开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	29K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39

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VP0645N2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (ID)：	0.25 A
最大漏源导通电阻：	30 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	20 pF	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	6 W
最大功率耗散 (Abs)：	6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VP0645N2 数据手册

VP0645

VP0650

P-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

I_D(ON)

BV_DSS

R_DS(ON)

BV_DGS

-450V

-500V

(max)

(min)

-0.2A

TO-39

VP0645N2

—

TO-92

TO-220

Die^†

—

30Ω

—

VP0650N3

VP0650N5

VP0650ND

†

MIL visual screening available

High Reliability Devices

Advanced DMOS Technology

See pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD Process

Flows and Ordering Information.

These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a

vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces devices with

the power handling capabilities of bipolar transistors and with the

high input impedance and positive temperature coefficient inher-

ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these

devices are free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

Features

■ Free from secondary breakdown

■ Low power drive requirement

■ Ease of paralleling

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

■ Low C_ISSand fast switching speeds

■ Excellent thermal stability

■ Integral Source-Drain diode

■ High input impedance and high gain

■ Complementary N- and P-channel devices

Package Options

Applications

■ Motor controls

■ Converters

■ Amplifiers

■ Switches

■ Power supply circuits

■ Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories,

displays, bipolar transistors, etc.)

TO-220

TAB: DRAIN

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

BV_DSS

Drain-to-Gate Voltage

BV_DGS

± 20V

S G D

TO-39

Case: DRAIN

TO-92

Gate-to-Source Voltage

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature*

-55°C to +150°C

300°C

Note: See Package Outline section for dimensions.

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

7-245

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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VP0645N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0645N3P002	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0645N3P003	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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