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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 30 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP0650N5 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | TO-220AB |
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| VP0650ND | SUPERTEX |
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Power Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FE |
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| VP06655500J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP06655800J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP06658400J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, |
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| VP06658500J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, |
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| VP06658800J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, |
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| VP06659400J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP06659500J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP06659800J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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