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VP0650N2

更新时间: 2024-11-06 19:45:15
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 201K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 500V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39

VP0650N2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.9
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (ID):0.25 A
最大漏源导通电阻:30 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):20 pFJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:6 W
最大功率耗散 (Abs):6 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

VP0650N2 数据手册

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