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VNS3NV04D13TR

更新时间： 2024-01-21 20:29:24
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
14页 249K
描述
OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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VNS3NV04D13TR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.86
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：4.9 mm功能数量：2
端子数量：8输出电流流向：SINK
标称输出峰值电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：10 µs接通时间：1.35 µs
宽度：3.9 mm

VNS3NV04D13TR 数据手册

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VNS3NV04D  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (Tj=25°C, unless otherwise specified)  
DYNAMIC  
Symbol  
Parameter  
Forward  
Test Conditions  
=13V; I =1.5A  
Min  
Typ  
5.0  
Max  
Unit  
S
g
(*)  
V
V
fs  
DD  
D
Transconductance  
Output Capacitance  
C
=13V; f=1MHz; V =0V  
150  
pF  
OSS  
DS  
IN  
SWITCHING  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
90  
Max  
300  
750  
1350  
750  
1.35  
7.5  
Unit  
ns  
t
t
t
t
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
d(on)  
V
V
=15V; I =1.5A  
D
DD  
t
250  
450  
250  
0.45  
2.5  
ns  
r
=5V; R =R =220Ω  
IN MINn  
gen  
gen  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
ns  
d(off)  
(see figure 1)  
t
ns  
f
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
µs  
µs  
µs  
µs  
d(on)  
V
V
=15V; I =1.5A  
D
DD  
t
r
=5V; R =2.2KΩ  
gen  
gen  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
3.3  
10.0  
6.0  
d(off)  
(see figure 1)  
t
2.0  
f
V
V
V
=15V; I =1.5A  
D
DD  
(dI/dt)  
Turn-on Current Slope  
Total Input Charge  
4.7  
8.5  
A/µs  
on  
=5V; R =R =220Ω  
IN MINn  
gen  
gen  
=12V; I =1.5A; V =5V  
DD  
D
IN  
Q
nC  
i
I
=2.13mA (see figure 5)  
gen  
SOURCE DRAIN DIODE  
Symbol  
(*)  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
0.8  
107  
37  
Max  
Unit  
V
V
Forward On Voltage  
I
=1.5A; V =0V  
SD  
SD  
SD  
IN  
t
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Current  
I
=1.5A; dI/dt=12A/µs  
=30V; L=200µH  
ns  
µC  
A
rr  
Q
V
rr  
DD  
I
0.7  
(see test circuit, figure 2)  
RRM  
PROTECTIONS (-40°C < Tj < 150°C, unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
V =5V; V =13V  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
I
Drain Current Limit  
3.5  
5
7
A
lim  
IN  
DS  
V =5V; V =13V  
Step Response Current  
Limit  
IN  
DS  
t
10  
µs  
dlim  
Overtemperature  
Shutdown  
T
150  
175  
200  
°C  
jsh  
T
Overtemperature Reset  
Fault Sink Current  
135  
10  
°C  
jrs  
I
V
=5V; V =13V; T =T  
jsh  
15  
20  
mA  
gf  
IN  
DS  
j
starting T =25°C; V =24V  
j
DD  
Single Pulse  
E
V
=5V; R =R  
=220Ω; L=24mH 100  
mJ  
as  
IN  
gen  
IN MINn  
Avalanche Energy  
(see figures 3 & 4)  
(*) Pulsed: Pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5%  
4/14  
2
1234567...14

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