是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, | 针数: | 10 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 内置保护: | TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL |
输入特性: | SCHMITT TRIGGER | 接口集成电路类型: | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G10 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 9.4 mm | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 10 |
输出特性: | OPEN-DRAIN | 输出电流流向: | SINK |
标称输出峰值电流: | 14 A | 输出极性: | TRUE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.75 mm | 表面贴装: | YES |
技术: | MOS | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
断开时间: | 7.5 µs | 接通时间: | 0.5 µs |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
VNV14N04-E | STMICROELECTRONICS | 暂无描述 |
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VNV20N07 | STMICROELECTRONICS | ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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VNV20N07-E | STMICROELECTRONICS | 暂无描述 |
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VNV28N04 | STMICROELECTRONICS | ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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VNV35N07 | STMICROELECTRONICS | âOMNIFETâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSF |
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VNV35N07-E | STMICROELECTRONICS | OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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