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VNV35N07

更新时间： 2024-09-25 12:47:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 142K
描述
”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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VNV35N07 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：POWER, SO-10针数：10
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.81
Is Samacsys：N内置保护：OVER CURRENT; THERMAL; ZENER CLAMP
输入特性：SCHMITT TRIGGER接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G10JESD-609代码：e3
长度：9.4 mm湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：10
输出特性：OPEN-DRAIN输出电流流向：SINK
标称输出峰值电流：35 A输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.75 mm表面贴装：YES
技术：MOS端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：16 µs接通时间：0.8 µs
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

VNV35N07 数据手册

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VNP35N07FI  
VNB35N07/VNV35N07  
”OMNIFET”:  
FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET  
TYPE  
Vclamp  
RDS(on)  
Ilim  
VNP35N07FI  
VNB35N07  
VNV35N07  
70 V  
70 V  
70 V  
0.028 Ω  
0.028 Ω  
0.028 Ω  
35 A  
35 A  
35 A  
■
■
■
■
■
■
LINEAR CURRENT LIMITATION  
THERMAL SHUT DOWN  
SHORT CIRCUIT PROTECTION  
INTEGRATED CLAMP  
LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN  
DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT  
PIN  
ISOWATT220  
3
2
1
■
■
ESD PROTECTION  
DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE  
POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)  
COMPATIBLE WITH STANDARD POWER  
MOSFET  
10  
3
1
■
1
D2PAK  
TO-263  
PowerSO-10  
DESCRIPTION  
The VNP35N07FI, VNB35N07 and VNV35N07  
are  
monolithic  
devices  
made  
using  
STMicroelectronics VIPower M0 Technology,  
intended for replacement of standard power  
MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in  
thermal shut-down, linear current limitation and  
overvoltage clamp protect the chip in harsh  
enviroments.  
Fault feedback can be detected by monitoring the  
voltage at the input pin.  
BLOCK DIAGRAM ( )  
( ) PowerSO-10 Pin Configuration : INPUT = 6,7,8,9,10; SOURCE = 1,2,4,5; DRAIN = TAB  
June 1998  
1/13  
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VNV35N07 替代型号

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