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VNV10N0713TR

更新时间： 2024-01-10 21:55:29

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		驱动光电二极管接口集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	403K
描述
OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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VNV10N0713TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.68
内置保护：	OVER CURRENT; THERMAL; ZENER CLAMP	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G10	长度：	9.4 mm
功能数量：	1	端子数量：	10
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.75 mm
表面贴装：	YES	技术：	MOS
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	断开时间：	6 µs
接通时间：	0.9 µs	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

VNV10N0713TR 数据手册

VNB10N07/K10N07FM

VNP10N07FI/VNV10N07

"OMNIFET":

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

TYPE

V_clamp

R_DS(on)

I_lim

VNB10N07

70 V

0.1 Ω

10 A

VNK10N07FM

VNP10N07FI

VNV10N07

■

LINEAR CURRENT LIMITATION

THERMAL SHUT DOWN

SHORT CIRCUIT PROTECTION

INTEGRATED CLAMP

LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN

DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT

D2PAK

TO-263

SOT82-FM

■

ESD PROTECTION

DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE

POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)

COMPATIBLE WITH STANDARD POWER

MOSFET

■

ISOWATT220

PowerSO-10

DESCRIPTION

The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI

and VNV10N07 are monolithic devices made

using

STMicroelectronics

VIPower

Technology, intended for replacement of

standard power MOSFETS in DC to 50 KHz

applications. Built-in thermal shut-down, linear

current limitation and overvoltage clamp protect

BLOCK DIAGRAM ( )

the chip in harsh enviroments.

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pin.

( ) PowerSO-10 Pin Configuration : INPUT = 6,7,8,9,10; SOURCE = 1,2,4,5; DRAIN = TAB

June 1998

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