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VNT008D

更新时间: 2024-01-24 10:03:48
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 288K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB

VNT008D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.77 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

VNT008D 数据手册

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