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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V40M120C | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V40M120C-M3/4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V40M150C | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier VF = 0.55 V at IF = 5 A |
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| V40M150CHM3 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V40M150C-M3 | VISHAY |
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Trench MOS Schottky technology |
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| V40M150C-M3_15 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V40PW103C | VISHAY |
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High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low |
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| V40PW10C | VISHAY |
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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V40PW10CHM3/I | VISHAY |
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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V40PW10C-M3/I | VISHAY |
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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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