5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V40K20 | ETC |
获取价格 |
|
|
| V40K5 | ETC |
获取价格 |
|
|
| V40K7 | ETC |
获取价格 |
|
|
| V40M120C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40M120C-M3/4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40M150C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier VF = 0.55 V at IF = 5 A |
|
| V40M150CHM3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40M150C-M3 | VISHAY |
获取价格 |
Trench MOS Schottky technology |
|
| V40M150C-M3_15 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40PW103C | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
