是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | , SOT-223 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.7 | 内存集成电路类型: | MASK ROM |
内存宽度: | 1 | 端子数量: | 3 |
字数: | 64 words | 字数代码: | 64 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64X1 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | SOT-223 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | MASK ROMs |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V4082V2T03E | EMMICRO |
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Identification ROM | |
V408J232S45 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V408J232S50 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V408J232S60 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V408J32S45 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V408J32S50 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V408J32S60 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V40D100C | VISHAY |
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Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at I | |
V40D100CHM3 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
V40D100C-M3 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |