生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SIMM, SSIM72 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 45 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PSMA-N72 | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
端子数量: | 72 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SIMM | 封装等效代码: | SSIM72 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 1024 | 座面最大高度: | 25.4 mm |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.016 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 1.52 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V408J32S50 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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V408J32S60 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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V40D100C | VISHAY |
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Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at I |
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V40D100CHM3 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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V40D100C-M3 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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V40D100C-M3_15 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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V40D103C | VISHAY |
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Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at I |
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V40D120C | VISHAY |
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Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.45 V at I |
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V40D120CHM3 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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V40D120C-M3 | VISHAY |
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Very low profile - typical height of 1.7 mm |
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