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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SIMM, SSIM72 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 60 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PSMA-N72 | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE | 内存宽度： | 32 |
| 端子数量： | 72 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX32 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SIMM | 封装等效代码： | SSIM72 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 座面最大高度： | 25.4 mm |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.016 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 1.36 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V40D100C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at I |
|
| V40D100CHM3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40D100C-M3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40D100C-M3_15 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40D103C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at I |
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| V40D120C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.45 V at I |
|
| V40D120CHM3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V40D120C-M3 | VISHAY |
获取价格 |
Very low profile - typical height of 1.7 mm |
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| V40D120C-M3_15 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V40D45C | VISHAY |
获取价格 |
Dual Low-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.29 V at IF |
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