5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V408J32S60 | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| V40D100C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at I |
|
| V40D100CHM3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40D100C-M3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40D100C-M3_15 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40D103C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at I |
|
| V40D120C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.45 V at I |
|
| V40D120CHM3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V40D120C-M3 | VISHAY |
获取价格 |
Very low profile - typical height of 1.7 mm |
|
| V40D120C-M3_15 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
