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V408J232S45

更新时间: 2024-02-26 16:05:28
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 717K
描述
x32 EDO Page Mode DRAM Module

V408J232S45 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PSMA-N72
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:32端子数量:72
字数:2097152 words字数代码:2000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SIMM
封装等效代码:SSIM72封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:25.4 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.008 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.535 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

V408J232S45 数据手册

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