生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SIMM, SSIM72 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 45 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PSMA-N72 |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 端子数量: | 72 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SIMM |
封装等效代码: | SSIM72 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 25.4 mm | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.008 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 1.535 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V408J232S50 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V408J232S60 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V408J32S45 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V408J32S50 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V408J32S60 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
V40D100C | VISHAY |
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Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at I | |
V40D100CHM3 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
V40D100C-M3 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
V40D100C-M3_15 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
V40D103C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at I |