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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.17 |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.7 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UZXMHN6A07T8TA | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| UZXMHN6A07T8TC | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| UZXMN10A07ZTA | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| UZXMN10A08E6TA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| UZXMN10A08E6TC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| UZXMN10A09KTC | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| UZXMN10B08E6TA | DIODES |
获取价格 |
暂无描述 |
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| UZXMN10B08E6TC | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| UZXMN2A01E6TA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| UZXMN2A01F | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semico |
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