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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMC, 2 PIN | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.6 | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.7 V |
| JEDEC-95代码： | DO-214AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 最大反向恢复时间： | 0.075 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| US5M-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN |
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| US5U1 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch+SBD MOS FET |
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| US5U1_07 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET |
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| US5U1_1 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET |
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| US5U1TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| US5U2 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch+SBD MOSFET |
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| US5U29 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
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| US5U29_1 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
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| US5U29TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| US5U2TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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