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US5U29_1

更新时间： 2024-01-27 18:26:25

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罗姆 - ROHM		驱动
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2.5V Drive Pch+SBD MOS FET

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US5U29_1 数据手册

US5U29

Transistor

2.5V Drive Pch+SBD MOS FET

US5U29

zStructure

zExternal dimensions (Unit : mm)

Silicon P-channel MOS FET

Schottky Barrier DIODE

TUMT5

2.0

1.3

0.85Max.

0.77

0.65 0.65

(5) (4)

zFeatures

0~0.1

1) The US5U29 combines Pch MOS FET with a

Schottky barrier diode in a TUMT5 package.

2) Low on-resistance with fast switching.

3) Low voltage drive (2.5V).

(2) (3)

(1)

0.3

0.17

4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage.

Abbreviated symbol : U29

zApplications

Load switch, DC/DC conversion

zPackaging specifications

zEquivalent circuit

Package

Taping

(5)

(4)

Code

Type

Basic ordering unit (pieces)

3000

∗2

US5U29

∗1

(1)Gate

(2)Source

(3)Anode

(4)Cathode

(5)Drain

(1)

(2)

(3)

∗1 ESD protection diode

∗2 Body diode

Rev.C

1/4

12 3 4 5

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