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US5U2TR

更新时间： 2024-02-29 01:39:48

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	65K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TUMT5, 5 PIN

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US5U2TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	5.71	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A
最大漏极电流 (ID)：	1.4 A	最大漏源导通电阻：	0.38 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

US5U2TR 数据手册

US5U2

Transistors

4V Drive Nch+SBD MOSFET

US5U2

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET /

Schottky barrier diode

TUMT5

2.0

1.3

zFeatures

1) Nch MOSFET and schottky barrier diode

are put in TUMT5 package.

2) High-speed switching, Low On-resistance.

3) 4V drive.

4) Built-in Low V^Fschottky barrier diode.

Abbreviated symbol : U02

zApplications

Switching

zPackaging specifications

zInner circuit

(5)

(4)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

US5U2

∗2

∗1

(1)Gate

(2)Source

(3)Anode

(4)Cathode

(5)Drain

(1)

(2)

(3)

∗1 ESD protection diode

∗2 Body diode

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Continuous

1.4

5.6

0.6

5.6

0.7

Drain current

Pulsed

∗1

I_DP

I_S

Source current

(Body diode)

Continuous

∗1

∗2

Pulsed

I_SP

P_D

Power dissipation

W / ELEMENT

Channel temperature

Tch

150

°C

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Mounted on a ceramic board

Rev.B

1/4

12 3 4 5

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