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US5U29TR

更新时间： 2024-01-27 18:18:53
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 75K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TUMT5, 5 PIN

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US5U29TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：0.43 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

US5U29TR 数据手册

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US5U29  
Transistor  
Small switching (–20V, –1.5A)  
US5U29  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) The US5U29 conbines Pch MOSFET with a  
Schottky barrier diode in a single TSMT5 package.  
2) Pch MOSFET have a low on-state resistance  
with a fast switching.  
(4)  
(3)  
(2)  
(1)  
(5)  
0.2  
1.7  
2.1  
0.2  
3) Pch MOSFET is reacted a low voltage drive(2.5V)  
4) The Independently connected Schottky barrier diode  
have a low forward voltate.  
0.15Max.  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : U29  
zApplications  
Load switch, DC/DC conversion  
zStructure  
zEquivalent circuit  
Silicon P-channel MOSFET  
Schottky Barrier DIODE  
(5)  
(4)  
2
zPackaging specifications  
Package  
Taping  
TR  
Code  
Type  
1
(1)Gate  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
(2)Source  
(3)Anode  
(4)Cathode  
(5)Drain  
US5U29  
(1)  
(2)  
(3)  
1 ESD protection diode  
2 Body diode  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
<
>
MOSFET  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Drain−source voltage  
Gate−source voltage  
V
DSS  
GSS  
−20  
±12  
±1  
V
V
A
A
A
A
C
V
Continuous  
Pulsed  
ID  
Drain current  
I
DP  
±4  
PW 10µs DUTY CYCLE 1%  
PW 10µs DUTY CYCLE 1%  
Continuous  
Pulsed  
I
S
−0.4  
−4  
Source current  
(Body diode)  
I
SP  
Channel temperature  
Tch  
150  
<
>
Di  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
V
RM  
25  
20  
V
V
A
A
C
V
R
Forward current  
I
F
0.7  
3.0  
150  
Forward current surge peak  
Junction temperature  
I
FSM  
60HZ / 1CYC.  
Tj  
<
>
MOSFET AND Di  
W/TOTAL/MOUNTED ON  
A CERAMIC BOARD  
Total power dissipation  
PD  
1.0  
Range of storage temperature  
Tstg  
−55 to 150  
C
1/4  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
US5U2TR ROHM

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
US5U3 ROHM

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US5U30TR ROHM

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 		暂无描述
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 		4V Drive Pch+SBD MOSFET
US5U35TR ROHM

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 		2.5V Drive Pch+SBD MOSFET

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