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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 400 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| 内存密度： | 75497472 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 1.5,1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.43 A |
| 最小待机电流： | 1.7 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.65 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD44646183AF5-E20-FQ1-A | RENESAS |
获取价格 |
IC,SYNC SRAM,DDR,4MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC |
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| UPD44646184F5-E27-FQ1 | NEC |
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DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44646184F5-E27-FQ1-A | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44646184F5-E30-FQ1 | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44646184F5-E33-FQ1 | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44646185F5-E30-FQ1 | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44646185F5-E30-FQ1-A | NEC |
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DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44646186F5-E25-FQ1-A | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44646186F5-E27-FQ1 | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44646186F5-E30-FQ1-A | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
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