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UPD44325094F5-E50-EQ2-A PDF预览

UPD44325094F5-E50-EQ2-A

更新时间： 2024-02-21 16:42:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
36页 367K
描述
QDR SRAM, 4MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44325094F5-E50-EQ2-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.77最长访问时间：0.45 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B165JESD-609代码：e1
长度：15 mm内存密度：37748736 bit
内存集成电路类型：QDR SRAM内存宽度：9
功能数量：1端子数量：165
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX9
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.51 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：13 mm
Base Number Matches：1

UPD44325094F5-E50-EQ2-A 数据手册

 浏览型号UPD44325094F5-E50-EQ2-A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号UPD44325094F5-E50-EQ2-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UPD44325094F5-E50-EQ2-A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UPD44325094F5-E50-EQ2-A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UPD44325094F5-E50-EQ2-A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UPD44325094F5-E50-EQ2-A的Datasheet PDF文件第7页 
µPD44325084, 44325094, 44325184, 44325364  
Pin Configurations  
/××× indicates active low signal.  
165-pin PLASTIC FBGA (13 x 15)  
(Top View)  
[µPD44325084F5-EQ2]  
1
2
3
A
4
5
/NW1  
NC  
A
6
7
NC  
/NW0  
A
8
9
A
10  
A
11  
CQ  
Q3  
D3  
NC  
Q2  
NC  
NC  
ZQ  
D1  
NC  
Q0  
D0  
NC  
NC  
TDI  
A
B
C
D
E
F
/CQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
/DLL  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
TDO  
VSS  
NC  
NC  
D4  
/W  
/K  
/R  
NC  
NC  
NC  
Q4  
NC  
Q5  
VDDQ  
NC  
NC  
D6  
NC  
NC  
Q7  
A
A
K
A
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
VDDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
A
NC  
NC  
NC  
D2  
VSS  
NC  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
A
VSS  
NC  
NC  
D5  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
NC  
NC  
VREF  
Q1  
G
H
J
VREF  
NC  
NC  
Q6  
K
L
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
TMS  
M
N
P
R
NC  
D7  
VSS  
VSS  
NC  
TCK  
A
A
C
A
A
A
A
/C  
A
A
A
: Address inputs  
: Data inputs  
: Data outputs  
: Read input  
: Write input  
: Nibble Write data select  
: Input clock  
TMS  
TDI  
: IEEE 1149.1 Test input  
: IEEE 1149.1 Test input  
: IEEE 1149.1 Clock input  
: IEEE 1149.1 Test output  
: HSTL input reference input  
: Power Supply  
: Power Supply  
: Ground  
D0 to D7  
Q0 to Q7  
/R  
TCK  
TDO  
VREF  
VDD  
VDDQ  
VSS  
/W  
/NW0, /NW1  
K, /K  
C, /C  
: Output clock  
CQ, /CQ  
ZQ  
/DLL  
: Echo clock  
: Output impedance matching  
: DLL disable  
NC  
: No connection  
Remarks 1. Refer to Package Drawing for the index mark.  
2. 2A and 7A are expansion addresses: 2A for 72Mb and 7A for 144Mb.  
Preliminary Data Sheet M16784EJ1V0DS  
3
1234567...36

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与UPD44325094F5-E50-EQ2-A相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UPD44325182BF5-E33-FQ1 RENESAS 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165

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UPD44325182BF5-E33Y-FQ1 RENESAS 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165

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UPD44325182BF5-E33Y-FQ1-A RENESAS 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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