是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.77 | 最长访问时间: | 0.45 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 300 MHz | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | 长度: | 17 mm |
内存密度: | 37748736 bit | 内存集成电路类型: | QDR SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2MX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.46 mm | 最大待机电流: | 0.52 A |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.71 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 15 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
UPD44325184BF5-E40-FQ1-A | RENESAS | 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
获取价格 |
|
UPD44325184BF5-E40Y-FQ1-A | RENESAS | 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
获取价格 |
|
UPD44325184BF5-E50-FQ1 | RENESAS | 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 |
获取价格 |
|
UPD44325184BF5-E50Y-FQ1 | RENESAS | 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 |
获取价格 |
|
UPD44325184BF5-E50Y-FQ1-A | RENESAS | 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
获取价格 |
|
UPD44325184F5-E33-EQ2 | NEC | 36M-BIT QDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION |
获取价格 |