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UPD44325184F5-E40-EQ2

更新时间： 2024-02-15 00:52:12

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日电电子 - NEC		静态存储器
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36页	367K
描述
36M-BIT QDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION

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UPD44325184F5-E40-EQ2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	端子数量：	165
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.5/1.8,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.4 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.95 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM

UPD44325184F5-E40-EQ2 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD44325084, 44325094, 44325184, 44325364

36M-BIT QDR^TMII SRAM

4-WORD BURST OPERATION

Description

The µPD44325084 is a 4,194,304-word by 8-bit, the µPD44325094 is a 4,194,304-word by 9-bit, the µPD44325184 is a

2,097,152-word by 18-bit and the µPD44325364 is a 1,048,576-word by 36-bit synchronous quad data rate static RAM

fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell.

The µPD44325084, µPD44325094, µPD44325184 and µPD44325364 integrate unique synchronous peripheral

circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and /K) are latched on the positive

edge of K and /K.

These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low voltage, high density

and wide bit configuration.

These products are packaged in 165-pin PLASTIC FBGA.

Features

• 1.8 ± 0.1 V power supply and HSTL I/O

• DLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling

• Separate independent read and write data ports with concurrent transactions

• 100% bus utilization DDR READ and WRITE operation

• Four-tick burst for reduced address frequency

• Two input clocks (K and /K) for precise DDR timing at clock rising edges only

• Two output clocks (C and /C) for precise flight time

and clock skew matching-clock and data delivered together to receiving device

• Internally self-timed write control

• Clock-stop capability with µs restart

• User programmable impedance output

• Fast clock cycle time : 3.3 ns (300 MHz) , 4.0 ns (250 MHz) , 5.0 ns (200 MHz)

• Simple control logic for easy depth expansion

• JTAG boundary scan

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M16784EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published October 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2003

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPD44325184F5-E50-EQ2	NEC	36M-BIT QDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION	获取价格
UPD44325362BF5-E33Y-FQ1-A	RENESAS	1MX36 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44325362BF5-E35-FQ1	RENESAS	1MX36 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44325362BF5-E35-FQ1-A	RENESAS	1MX36 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44325362BF5-E35Y-FQ1	RENESAS	1MX36 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44325362BF5-E35Y-FQ1-A	RENESAS	1MX36 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格

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