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UPD44325182F5-E50-EQ2

更新时间： 2024-02-27 14:08:06

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		存储内存集成电路静态存储器
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32页	348K
描述
36M-BIT QDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION

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UPD44325182F5-E50-EQ2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.63
最长访问时间：	0.45 ns	JESD-30 代码：	S-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	15 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	QDR SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.51 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

UPD44325182F5-E50-EQ2 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD44325082, 44325092, 44325182, 44325362

36M-BIT QDR^TMII SRAM

2-WORD BURST OPERATION

Description

The µPD44325082 is a 4,194,304-word by 8-bit, the µPD44325092 is a 4,194,304-word by 9-bit, the µPD44325182 is a

2,097,152-word by 18-bit and the µPD44325362 is a 1,048,576-word by 36-bit synchronous quad data rate static RAM

fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell.

The µPD44325082, µPD44325092, µPD44325182 and µPD44325362 integrate unique synchronous peripheral

circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and /K) are latched on the positive

edge of K and /K.

These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low voltage, high density

and wide bit configuration.

These products are packaged in 165-pin PLASTIC FBGA.

Features

• 1.8 ± 0.1 V power supply and HSTL I/O

• DLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling

• Separate independent read and write data ports with concurrent transactions

• 100% bus utilization DDR READ and WRITE operation

• Two-tick burst for low DDR transaction size

• Two input clocks (K and /K) for precise DDR timing at clock rising edges only

• Two output clocks (C and /C) for precise flight time and clock skew matching-clock

and data delivered together to receiving device

• Internally self-timed write control

• Clock-stop capability with µs restart

• User programmable impedance output

• Fast clock cycle time : 4.0 ns (250 MHz), 5.0 ns (200 MHz)

• Simple control logic for easy depth expansion

• JTAG boundary scan

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M16783EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published October 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2003

12 3 4 5 6 7...32

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与UPD44325182F5-E50-EQ2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPD44325182F5-E50Y-EQ2-A	NEC	QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44325184BF5-E33-FQ1	RENESAS	2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44325184BF5-E33-FQ1-A	RENESAS	2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44325184BF5-E33Y-FQ1	RENESAS	2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44325184BF5-E33Y-FQ1-A	RENESAS	2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44325184BF5-E40-FQ1-A	RENESAS	2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格

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