是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 0.45 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | DDR SRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX18 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 座面最大高度: | 1.46 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD44164184F5-E30-EQ1 | RENESAS |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 | |
UPD44164184F5-E33-EQ1 | RENESAS |
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IC,SYNC SRAM,DDR,1MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC | |
UPD44164184F5-E40-EQ1 | NEC |
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18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION | |
UPD44164184F5-E50-EQ1 | NEC |
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18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION | |
UPD44164184F5-E60-EQ1 | NEC |
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18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION | |
UPD44164185AF5-E33-EQ2 | NEC |
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DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44164185AF5-E33-EQ2-A | RENESAS |
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1MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44164185AF5-E33-EQ2-A | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44164185AF5-E37-EQ2-A | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44164185AF5-E37Y-EQ2 | NEC |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165 |