Datasheet > UPD44164185F5-E50-EQ1

UPD44164185F5-E50-EQ1

更新时间： 2024-11-19 22:18:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		静态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
32页	372K
描述
18M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPD44164185F5-E50-EQ1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e0	长度：	15 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.51 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

UPD44164185F5-E50-EQ1 数据手册

浏览型号UPD44164185F5-E50-EQ1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号UPD44164185F5-E50-EQ1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号UPD44164185F5-E50-EQ1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号UPD44164185F5-E50-EQ1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号UPD44164185F5-E50-EQ1的Datasheet PDF文件第6页

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD44164085, 44164185, 44164365

18M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O

2-WORD BURST OPERATION

Description

The µPD44164085 is a 2,097,152-word by 8-bit, the µPD44164185 is a 1,048,576-word by 18-bit and the

µPD44164365 is a 524,288-word by 36-bit synchronous double data rate static RAM fabricated with advanced CMOS

technology using full CMOS six-transistor memory cell.

The µPD44164085, µPD44164185 and µPD44164365 integrates unique synchronous peripheral circuitry and a

burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and /K) are latched on the positive edge of K and

/K.

These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low voltage, high

density and wide bit configuration.

These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.

Features

• 1.8 ± 0.1 V power supply and HSTL I/O

• DLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling

• Separate independent read and write data ports

• DDR read or write operation initiated each cycle

• Pipelined double data rate operation

• Separate data input/output bus

• Two-tick burst for low DDR transaction size

• Two input clocks (K and /K) for precise DDR timing at clock rising edges only

• Two output clocks (C and /C) for precise flight time and clock skew matching-clock

and data delivered together to receiving device

• Internally self-timed write control

• Clock-stop capability with µs restart

• User programmable impedance output

• Fast clock cycle time : 4.0 ns (250 MHz), 5.0 ns (200 MHz), 6.0 ns (167 MHz)

• Simple control logic for easy depth expansion

• JTAG boundary scan

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M15823EJ7V1DS00 (7th edition)

Date Published July 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2001

12 3 4 5 6 7...32

中文翻译

下载PDF

与UPD44164185F5-E50-EQ1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD44164185F5-E60-EQ1	NEC	获取价格	18M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION
UPD44164362AF5-E33-EQ2	NEC	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, PLASTIC, BGA-165
UPD44164362AF5-E33-EQ2-A	NEC	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164362AF5-E40-EQ2	NEC	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, PLASTIC, BGA-165
UPD44164362AF5-E40-EQ2-A	NEC	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164362AF5-E50-EQ2-A	RENESAS	获取价格	512KX36 DDR SRAM, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44164362F5-E30-EQ1	RENESAS	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165
UPD44164362F5-E33-EQ1	RENESAS	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.29ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165
UPD44164362F5-E50-EQ1	NEC	获取价格	18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION
UPD44164362F5-E60-EQ1	NEC	获取价格	18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION

与UPD44164185F5-E50-EQ1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPD44164185F5-E50-EQ1

UPD44164185F5-E50-EQ1 技术参数

UPD44164185F5-E50-EQ1 数据手册

与UPD44164185F5-E50-EQ1相关器件

与UPD44164185F5-E50-EQ1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPD44164185F5-E50-EQ1

UPD44164185F5-E50-EQ1 技术参数

UPD44164185F5-E50-EQ1 数据手册

与UPD44164185F5-E50-EQ1相关器件

与UPD44164185F5-E50-EQ1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？