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UPD4361C-45

更新时间: 2024-09-13 20:17:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, PDIP22, PLASTIC, DIP-22

UPD4361C-45 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:PLASTIC, DIP-22Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84最长访问时间:45 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T22JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:22
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX1
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

UPD4361C-45 数据手册

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