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UPD4361C-55L

更新时间: 2024-09-13 20:17:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, PDIP22, PLASTIC, DIP-22

UPD4361C-55L 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
包装说明:PLASTIC, DIP-22Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T22
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:22字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX1输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

UPD4361C-55L 数据手册

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