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UPD4364C-12

更新时间: 2024-09-15 12:16:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 311K
描述
8192 X 8 BIT STATIC CMOS RAM

UPD4364C-12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T28内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.72 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MIXMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

UPD4364C-12 数据手册

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