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UPD4361K-45

更新时间： 2024-09-13 20:17:51

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	130K
描述
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, CQCC22, CERAMIC, LCC-22

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UPD4361K-45 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	CERAMIC, LCC-22	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	R-CQCC-N22	JESD-609代码：	e0
长度：	12.446 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	22	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX1	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.26 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.37 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD4361K-55	NEC	获取价格	Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CQCC22, CERAMIC, LCC-22
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