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UPD4361C-55

更新时间: 2024-12-01 20:17:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, PDIP22, PLASTIC, DIP-22

UPD4361C-55 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:22
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.22
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T22JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:22字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

UPD4361C-55 数据手册

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