Datasheet > UPD43256BGU-70L-E2

UPD43256BGU-70L-E2

更新时间： 2024-09-15 19:56:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	309K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPD43256BGU-70L-E2 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	18 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8.4 mm
Base Number Matches：	1

UPD43256BGU-70L-E2 数据手册

浏览型号UPD43256BGU-70L-E2的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号UPD43256BGU-70L-E2的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号UPD43256BGU-70L-E2的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号UPD43256BGU-70L-E2的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号UPD43256BGU-70L-E2的Datasheet PDF文件第6页

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

μPD43256B

256K-BIT CMOS STATIC RAM

32K-WORD BY 8-BIT

Description

The μPD43256B is a high speed, low power, and 262,144 bits (32,768 words by 8 bits) CMOS static RAM.

Battery backup is available. And A and B versions are wide voltage operations.

The μPD43256B is packed in 28-pin PLASTIC DIP, 28-pin PLASTIC SOP and 28-pin PLASTIC TSOP (I) (8 x 13.4 mm).

Features

• 32,768 words by 8 bits organization

• Fast access time: 70, 85, 100, 120 ns (MAX.)

• Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)

• Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.)

• /OE input for easy application

Part number

Access time

ns (MAX.)

Operating supply Operating ambient

Supply current

voltage

temperature

°C

At operating

mA (MAX.)

At standby At data retention

μA (MAX.)

μA (MAX.) ^Note1

μPD43256B-xxL

μPD43256B-xxLL

μPD43256B-Axx

μPD43256B-Bxx ^Note2

70, 85

4.5 to 5.5

0 to 70

85, 100 ^Note2, 120 ^Note2

100, 120

3.0 to 5.5

2.7 to 5.5

Notes 1. TA ≤ 40 °C, VCC = 3.0 V

2. Access time: 85 ns (MAX.) (VCC = 4.5 to 5.5 V)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M10770EJFV0DS00 (15th edition)

Date Published November 2008

Printed in Japan

1990, 1993, 1994

12 3 4 5 6 7...24

中文翻译

下载PDF

与UPD43256BGU-70L-E2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD43256BGU-70L-E2-A	NEC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-28
UPD43256BGU-70LL	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43256BGU-70LL-A	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43256BGU-70LL-E2	NEC	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28
UPD43256BGU-70LL-E2-A	NEC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-28
UPD43256BGU-70X	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD43256BGU-70Y	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD43256BGU-80L	RENESAS	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28
UPD43256BGU-80LL	RENESAS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28
UPD43256BGU-85L	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT

与UPD43256BGU-70L-E2相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

84
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

78

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPD43256BGU-70L-E2

UPD43256BGU-70L-E2 技术参数

UPD43256BGU-70L-E2 数据手册

与UPD43256BGU-70L-E2相关器件

与UPD43256BGU-70L-E2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPD43256BGU-70L-E2

UPD43256BGU-70L-E2 技术参数

UPD43256BGU-70L-E2 数据手册

与UPD43256BGU-70L-E2相关器件

与UPD43256BGU-70L-E2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？